特許
J-GLOBAL ID：200903015798875500
半導体製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-004601
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195382
出願日： 1995年01月17日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：
【要約】【目的】 エッチング処理終了後にウエハの裏面に付着した不要物を除去することが可能な技術を提供する。【構成】 プラズマエッチング処理室1と一体に結合されるアッシング処理室2は、プラズマエッチング処理終了後のウエハ17を第1の段階の位置と第2の段階の位置とに切り替える押し上げピン30を有している。これにより、ウエハ17をこの押し上げピン30によって第2の段階の位置に押し上げて、アッシング電極27から離間させることにより、その裏面をプラズマに晒すことができるため、プラズマエッチング処理終了後にウエハ17の裏面に付着した不要物35を除去することが可能になる。
請求項（抜粋）：
所望の処理が終了した半導体基板を収容し、この半導体基板の裏面に付着した不要物を除去する処理室を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/68
