特許
J-GLOBAL ID：200903015799991180
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-196393
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020485
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的はホットエレクトロン注入を書き込み方式とする不揮発性半導体記憶装置において、書き込み動作の単一電源化を実現することである。【構成】 電源電位VCCと負荷トランジスタNLのソースの間に、昇圧回路2が接続され、そのソースに電荷蓄積用容量CLが接続される。書き込み動作前に昇圧回路2を動作させて容量CLに電荷を蓄積させ、書き込み動作時に負荷トランジスタNLを導通して蓄積した電荷を書き込み電流として使用する。これにより高電圧の書き込み電源を必要とせず、かつ大きなチップ面積の増大を引き起こすことなしに、単一電源での書き込みを可能とする。【効果】 実装基板上での書き込みが必要とされる不揮発性半導体記憶装置において、単一電源化が容易である。
請求項（抜粋）：
蓄積された電荷の有無でしきい値の変化するメモリトランジスタを複数個列方向に配したメモリセル列を複数有するメモリセルアレイと、複数のメモリセル列にそれぞれ接続された複数のビット線と、列アドレスにより選択され上記複数のビット線にそれぞれ接続された複数の列選択トランジスタと、該複数の列選択トランジスタに共通して接続され負荷制御信号で開閉する負荷トランジスタとを備えた不揮発性半導体記憶装置において、上記負荷トランジスタと電源線との間に接続され昇圧制御信号に応答する昇圧回路と、該昇圧回路と負荷トランジスタとの間に設けられた電荷蓄積節点に接続された電荷蓄積用容量素子とを備え、書き込み準備期間には負荷制御信号で負荷トランジスタをオフさせ昇圧制御信号で電荷蓄積節点の電圧を電源線を超えて昇圧し、書き込み準備期間に続く書き込み期間には負荷制御信号に負荷トランジスタをオンさせ選択されたビット線に昇圧された電圧を供給することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 309 D
, G11C 17/00 309 A
