特許

J-GLOBAL ID：200903015808932485

MOSFETのスイッチを用いる過電流制限の方法及び回路

発明者： 服部 敬宙
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-174871
公開番号（公開出願番号）：特開2000-013991
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 過電流制限機能をもつハイサイドスイッチで、オン抵抗の異なる二つのMOSFETでスイッチを構成し、一つのMOSFETのゲート電圧を制御することにより、通常動作時から電流制限動作時に移行する際、電流値の変化を少なくし、装置の誤動作を防ぐ方法とその回路を提案する。【解決手段】 通常動作時にスイッチ1の低オン抵抗のMOSFETをオンにして動作するICにおいて、過電流検出手段がスイッチ1に流れる過電流値を検出する段階と、規定の電流値を検出したとき電流制限制御手段へ信号を送る段階と、スイッチ1のゲート電圧を徐々に変化させオン抵抗を高くし、設定した電流値になるまでゲート電圧を変化させる段階と、電流が設定値になった後スイッチ2をオンにする段階とを含む。

請求項（抜粋）：

MOSFETで構成されるスイッチに流れる電流値を検出し、規定値を越えた場合に外部へリポートするフラグ出力機能と、制御入力信号端子によりスイッチをオフする機能を有するICであって、並列に接続されたオン抵抗の異なる二つのスイッチ(1)及び(2)と、スイッチ(1)の低オン抵抗のMOSFETのゲートに接続されアナログ出力動作を行うD/A出力手段(5)と、スイッチ(1)の電流値を検出し、規定電流値以上の場合外部通知用のフラグ(10)を出力する過電流検出手段(3)と、過電流検出手段(3)が規定電流値を検出したとき、その信号を入力して出力電流制限を行う電流制限制御手段(4)と、制御入力(9)によりスイッチ(1)及び(2)のMOSFETのオンオフを制御するゲート制御手段(6)とを有する過電流制限の回路。

IPC (3件)：

H02H 9/02 ,  H02H 3/08 ,  H02H 3/087

FI (3件)：

H02H 9/02 E ,  H02H 3/08 T ,  H02H 3/087

Fターム (11件)：

5G004AA04 ,  5G004AB02 ,  5G004BA04 ,  5G004CA05 ,  5G004DA04 ,  5G004DC01 ,  5G004EA01 ,  5G013AA02 ,  5G013AA16 ,  5G013BA01 ,  5G013CA10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電池の過電流保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-009256   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平3-150022
  
• 特開平1-270727