特許
J-GLOBAL ID：200903015815807130
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-223442
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053388
出願日： 1999年08月06日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 動作電圧の低いレーザダイオードが要求されている。【解決手段】 サファイア基板20の上に細条部分24と外部接続部分25とを有するTiNから成るカソード電極22を設ける。外部接続部分25の上に半導体成長阻止用絶縁膜を設ける。細条部分24を含む基板20の表面上にレーザダイオード用積層半導体21を設ける。半導体21の上面のp形GaNから成るコンタクト層にAuとNiから成るアノード電極23をオーミックコンタクトさせる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と、前記基板の一方の主面に配置された細条部分とこの細条部分に接続続されている外部接続部分とを有する第1の電極と、少なくとも第1導電形のクラッド層と活性層と第2の導電形のクラッド層とを含み、前記細条部分は覆うが前記外部接続部分は覆わないように前記第1の電極を有する前記基板上に配置された半導体と、前記半導体の表面に配置され、且つ前記細条部分よりも広い幅を有している第2の電極とから成る半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/34
, H01L 21/28 301
H01S 5/34
, H01L 21/28 301 R
4M104AA04
, 4M104AA10
, 4M104BB05
, 4M104BB30
, 4M104BB37
, 4M104CC01
, 4M104DD37
, 4M104DD40
, 4M104DD42
, 4M104DD86
, 4M104GG04
, 4M104HH15
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073EA29
