半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-193239
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055819
出願日： 1994年08月17日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】耐熱性電極として機能する金属-ダイヤモンド接合を有する半導体装置を提供する。【構成】ダイヤモンド-金属部接合を有する半導体装置。該金属部は、融点1000°C以上の第1の金属と、仕事関数5eV以下の第2の金属とを含む2種類以上の成分の複合金属からなる。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド-金属部接合を有する半導体装置であって;該金属部が、第1の金属と第2の金属とを含む2種類以上の成分の複合金属からなり;該第1の金属が融点1000°C以上の高融点金属であり;且つ、該第2の金属が、仕事関数5eV以下の金属であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/43 , H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 29/46 B , H01L 29/48 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

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