特許
J-GLOBAL ID：200903015830178603
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-033664
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235056
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置及びその製造方法に係り,特に,ヘテロ接合により形成される2次元電子(又は正孔)ガスを利用する半導体装置及びその製造方法に関し,寄生抵抗を低くし,かつしきい値調整を容易にすることを目的とする。【構成】 半導体基体1, 2上にチャネルとなる第1の化合物半導体層3,ソース・ドレインとなる第2の化合物半導体層4を順に成長する工程と,第2の化合物半導体層4上に絶縁層5を形成する工程と, マスクを用いて絶縁層5及び第2の化合物半導体層4をエッチングして除去し,第1の化合物半導体層3を露出する開孔7を形成する工程と, 開孔7の第2の化合物半導体層4側面に絶縁膜側壁8を形成する工程と,露出した第1の化合物半導体層3上に電子供給層となる第3の化合物半導体層9を成長する工程と,第3の化合物半導体層9上にゲート電極となる導体層10を堆積する工程とを有するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基体(1, 2)上に形成されたチャネルとなる第1の化合物半導体層(3) と,該第1の化合物半導体層(3) 上に設けられソース及びドレインとなる第2の化合物半導体層(4) と,該第1の化合物半導体層(3) の表面上に設けられかつ側面が該第2の化合物半導体層(4) の側面と絶縁膜(8) を介して接し,電子(又は正孔)供給層となる第3の化合物半導体層(9) と,該第3の化合物半導体層(9) 上にゲート電極となる導体層(10)とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/302
, H01L 29/50
