特許

J-GLOBAL ID：200903015834699330

半導体装置の電極材料

発明者： 西村 国夫 ,  水上 誠志郎
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 楠本 高義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-054392
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218470
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置を安価に製造するため、たとえば従来、蒸着法によっていた電極の形成法を印刷法に変えるとともに、印刷法に用いる電極材料の諸特性を優れたものに維持しつつ、より安価な材料を得ることにある。【構成】 アモルファスシリコン系半導体層との接触面でオーミック接触し得るオーミック接触性金属材料、又は特にモリブデンMoあるいはニッケルNiと、炭素Cとを混合し、これらを有機溶媒により溶解させられた有機結合剤によってペースト状に混練させて、電極材料を得た。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコン系半導体層との接触面でオーミック接触し得るオーミック接触性金属材料と炭素Cとを、結合剤によってペースト状に混練させて成ることを特徴とする半導体装置の電極材料。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/283

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-256280
  
• 特開昭63-194372
  
• 特開昭59-167057