特許

J-GLOBAL ID：200903015834798525

膜構造体、電子デバイス、記録媒体および強誘電体薄膜の製造方法

発明者： 矢野 義彦 ,  野口 隆男
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-186625
公開番号（公開出願番号）：特開平10-017394
出願日： 1996年06月26日
公開日（公表日）： 1998年01月20日
要約：

【要約】【課題】 誘電率が比較的低く、残留分極が大きく、分極反転電圧が低く、分極反転を繰り返しても劣化の少ない強誘電体薄膜を実現する。また、組成が一定で結晶性の高い鉛系強誘電体薄膜を製造できる方法を提供する。【解決手段】 所定の希土類元素Rn 、Pb、TiならびにOを含有し、原子比率が(Pb+Rn )/Ti=0.8〜1.3、Pb/(Pb+Rn )=0.5〜0.99の範囲にあり、ペロブスカイト構造であり、(001)単一配向であるか、(001)配向と(100)配向とが混在したものである強誘電体薄膜。この強誘電体薄膜は、Si(100)基板上に形成することが可能である。少なくともPbおよびTiを含む酸化物からなる強誘電体薄膜を多元蒸着法により形成するに際し、蒸発源として少なくとも酸化鉛およびTiOx (1≦x≦1.9)を用い、酸化性ガスを蒸着反応室内に導入しながら蒸着を行う。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成された強誘電体薄膜とを有する膜構造体であって、強誘電体薄膜が、R1 (R1 は、Pr、Nd、Eu、Tb、Dy、Ho、Yb、Y、Sm、GdおよびErから選択された少なくとも1種の希土類元素)、Pb、TiならびにOを含有し、原子比率が(Pb+R1 )/Ti=0.8〜1.3、Pb/(Pb+R1 )=0.5〜0.99の範囲にあり、ペロブスカイト型結晶構造を有し、(001)単一配向であるか、(001)配向と(100)配向とが混在したものである膜構造体。

IPC (5件)：

C30B 29/22 ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/32 ,  G11B 9/00 ,  H01B 3/00

FI (5件)：

C30B 29/22 Z ,  C30B 25/18 ,  C30B 29/32 D ,  G11B 9/00 ,  H01B 3/00 F