特許

J-GLOBAL ID：200903015835312944

半導体装置及びその製造方法

発明者： 青山 知憲
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-207345
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064032
出願日： 2003年08月12日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】高い比誘電率を有し、且つ、1000°C以上の不純物活性化用の熱処理後でも結晶粒界が形成されないゲート絶縁膜を得る。【解決手段】シリコン基板1上に3層のゲート絶縁膜8,9a,9bを介してゲート電極10が形成されている。第1のゲート絶縁膜8は、下地界面層としてのシリコン酸化膜である。シリコン酸化膜8上に形成された第2のゲート絶縁膜9aは、膜平均金属濃度が62%以下、且つ、膜平均窒素含有率が30atm%以上の窒素含有金属珪酸化膜である。窒素含有金属珪酸化膜9a上に形成された第3のゲート絶縁膜9bは、膜平均金属濃度が50%以上80%以下の窒素含有金属珪酸化膜である。上層の窒素含有金属珪酸化膜9bの膜平均窒素含有率は1atm%以上である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に多層のゲート絶縁膜を介してゲート電極を備えた半導体装置であって、 前記ゲート絶縁膜が、 前記基板上に形成された下地界面層と、 前記下地界面層上に形成された第1の窒素含有金属珪酸化膜であって、膜平均金属濃度が62%以下、且つ、膜平均窒素含有率が30atm%以上であるものと、 前記第1の窒素含有金属珪酸化膜上に形成された第2の窒素含有金属珪酸化膜であって、膜平均金属濃度が50%以上80%以下であるものと、 を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

FI (4件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/283 C ,  H01L21/316 X ,  H01L27/08 321D

Fターム (80件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD43 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF04