特許
J-GLOBAL ID：200903015837192253
研磨パッドの製造方法および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-187436
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031752
出願日： 2002年06月27日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】研磨パッドのランニングコストの上昇を抑制する。また、ダイヤモンド砥粒の脱落に起因するスクラッチの発生をなくす。【解決手段】表面に凹凸が形成された研磨パッド1にシリカ粒を含んだスラリーを供給し、供給したシリカ粒を研磨パッド1の凹部により保持する。次に、研磨パッド1の表面に半導体ウェハを接触させ、半導体ウェハを研磨する。研磨した後、研磨パッド1の凹部にたまった半導体ウェハの研磨屑やスラリーの反応生成物などからなる残渣5を、氷粒噴射ノズル2より吹き出された氷粒3によって、削りとることにより除去する。削り取られた残渣5は、吹き付けた氷粒3が溶解することにより生じた純水によって、洗い流される。【選択図】 図15
請求項（抜粋）：
研磨パッドに氷粒を吹き付けることにより、前記研磨パッドの前記氷粒を吹き付けた面に凹凸を形成する工程を備えることを特徴とする研磨パッドの製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/304
, B24B37/00
, B24B53/02
, B24B57/02
, B24C1/00
H01L21/304 622M
, H01L21/304 621D
, H01L21/304 622F
, B24B37/00 A
, B24B53/02
, B24B57/02
, B24C1/00 A
3C047BB01
, 3C047FF08
, 3C047GG20
, 3C058AA07
, 3C058AA19
, 3C058AC04
, 3C058CA01
, 3C058CB02
, 3C058DA12
