特許

J-GLOBAL ID：200903015839869579

薄膜トランジスタ

発明者： 和田 保 ,  梁井 健一 ,  田中 勉 ,  筧 達也 ,  沖 賢一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056251
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268220
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタ(TFT) に関し,ソース/ドレイン間のリーク電流を減らし,OFF 電流特性の向上を目的とする。【構成】 1)絶縁性の基板 1上に形成されたソース電極4Sと,該ソース電極を覆って該基板上に形成された動作半導体層7Cと,該動作半導体層上に該ソース電極と面方向に間隔を有して形成されたドレイン電極10D とを有する,2)前記ソース電極4Sおよびドレイン電極10D の形状が,相互に平行で棒状である,3)前記基板 1が透明基板であり,該基板と前記ドレイン電極10D およびドレインバスとの間に前記動作半導体層7Cを介在させるように構成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性の基板(1) 上に形成されたソース電極(4S)と,該ソース電極を覆って該基板上に形成された動作半導体層(7C)と,該動作半導体層上に該ソース電極と面方向に間隔を有して形成されたドレイン電極(10D) とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。