特許
J-GLOBAL ID：200903015840943995
金属基体上の配向誘電体薄膜形成方法およびそれによる製品
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
生沼 徳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-074829
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109329
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】基体を清浄にし9、基体を研磨10し、基体にエッチングを施し18、高周波スパッタリング法に従って基体上にチタン酸ストロンチウムターゲットの一部を蒸着する24ことによって基体上に蒸着層32を形成する。【効果】かかる蒸着層はそのままで高密度コンデンサとして利用することができ、またかかる蒸着層32のレーザ処理に続いてその上に超伝導体層を蒸着することによって導電性の良い超伝導製品を製造することもできる。
請求項（抜粋）：
基体上に超伝導体用の緩衝層を形成するための方法において、(a) 前記基体を清浄にし、(b) 前記基体を研磨し、(c) 前記基体にエッチングを施し、(d) 高周波スパッタリング法に従って前記基体上にチタン酸ストロンチウムターゲットの一部を蒸着することによって前記基体上に蒸着層を形成し、(e) 前記蒸着層および前記基体を冷却し、次いで(f) 前記蒸着層にレーザビームを照射する工程を含むことを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01B 19/00 321
, H01B 3/00
, H01B 13/00 565
, H01B 17/62
, H01G 4/06 102
