特許

J-GLOBAL ID：200903015846685831

パターンメッキ方法

発明者： 川口 直也 ,  宮部 進
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-140486
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350224
出願日： 1993年06月11日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【構成】 両性金属薄板表面にレジストを回路部以外の所に設け、レジスト端部における銅メッキ厚が0.5μm以上かつレジスト膜厚の1.0倍以下となるようにピロ燐酸銅メッキ薄膜を形成した後に、総メッキ厚がレジスト膜厚以上となるように硫酸銅メッキ液を用いて厚付けすることによって、微細厚膜パターンを形成する。【効果】 レジスト端部におけるピロ燐酸銅メッキ厚が0.5μm以上かつレジスト膜厚の1.0倍以下とすることによって、異方性の高い配線パターンを形成する事が可能となり、結果として配線抵抗が低い微細パターンを製造する事が可能となった。

請求項（抜粋）：

両性金属薄板上にレジストを回路部以外の所に設け、両性金属薄板を陰極として、レジストとの端部における銅メッキ厚が0.5μm以上かつレジスト膜厚の1.0倍以下となるようにピロ燐酸銅メッキ薄膜を形成する工程と、同様に両性金属薄板を陰極として、硫酸銅メッキ液を用いて、総メッキ厚がレジスト膜厚以上となるように銅メッキ皮膜を厚付けする工程とを含む、微細厚膜印刷回路基板の製造方法。