特許
J-GLOBAL ID：200903015850429009
マイクロ波プラズマエッチング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-165178
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005551
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】ECRプラズマ中のイオンエネルギー分布を均一に保ち、E×Bドリフトによるプラズマ電位の不均一さを起こすことなく、イオンエネルギー強度を任意に制御できるようにする。【構成】プラズマ発生室12内に置かれた被処理基板8付近の磁場強度を875ガウス近傍になるようにしかつ磁場の方向の被処理基板面に対し垂直に入射するように調整し、さらに基板ホルダー9に置かれた被処理基板8から低周波交流電流の電場をECRプラズマ中へ印加するマイクロ波プラズマエッチング装置において、被処理基板8に対して平行方向の対向電極17を有する石英ベルジャー7aをプラズマ発生室12内に設置し、さらに低周波交流電流の電場とECRプラズマ生成に必要な磁場の方向とが互いに平行になるようにする。
請求項（抜粋）：
マイクロ波により発生する電場とこの電場に直交する磁場との相互作用で起こる電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマに関して、プラズマ発生室内に置かれた被処理基板付近の磁場強度を875ガウス近傍かつ磁場の方向を被処理基板面に対し垂直に入射するよう調整し、さらに基板ホルダーに置かれた被処理基板から低周波交流電流の電場をECRプラズマ中へ印加するマイクロ波プラズマエッチング装置において、被処理基板面に対して平行方向の対向電極を有する石英ベルジャーをプラズマ発生室内に設置することを特徴とするマイクロ波プラズマエッチング装置。
IPC (2件)：
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