特許

J-GLOBAL ID：200903015852392277

微結晶シリコン太陽電池及びその製造方法

発明者： 中野 要治 ,  小林 靖之 ,  米倉 義道
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-392602
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197938
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 導電率を損なうことなく広バンドギャップである高効率の薄膜シリコン太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】 透明な絶縁性基板上に、少なくとも透明電極膜、p型、i型、n型の微結晶シリコン層および裏面電極膜が積層形成された薄膜シリコン太陽電池において、p型微結晶シリコン層とi型微結晶シリコン層との間のp/i界面およびその近傍部位に炭素を含有するシリコン層を有する。

請求項（抜粋）：

透明な絶縁性基板上に、少なくとも透明電極膜、p型、i型、n型の微結晶シリコン層および裏面電極膜が積層形成された微結晶シリコン太陽電池において、前記p型微結晶シリコン層と前記i型微結晶シリコン層との間のp/i界面およびその近傍部位に炭素を含有するシリコン層を有することを特徴とする微結晶シリコン太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 V

Fターム (14件)：

5F051AA04 ,  5F051AA16 ,  5F051CA05 ,  5F051CA16 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051CA40 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA18 ,  5F051GA03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 非晶質太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-043597   出願人：三井東圧化学株式会社
• 特開平3-131072
  
• 特開昭64-051618
  

審査官引用 (5件)

• 非晶質太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-043597   出願人：三井東圧化学株式会社
• 特開平3-131072
  
• 特開昭64-051618
  
• 特開平3-131072
  
• 特開昭64-051618