特許

J-GLOBAL ID：200903015853984372

半導体シリコン基板の不純物拡散方法

発明者： 竹田 恵一 ,  茨木 正 ,  五十嵐 利昭 ,  熊木 清和
出願人/特許権者： 直江津電子工業株式会社
代理人 (1件)： 早川 政名 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-074492
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267263
出願日： 2000年03月16日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 酸化性雰囲気の拡散であってもウエハを容易に剥離可能にしながら剥離後のウエハの陥没あるいは突起状の不良の発生を防止する。【解決手段】 不純物をデポジション拡散によってウエハの表面に高濃度に拡散(沈着)させた後か、または不純物をウエハの表面に塗布した後に、粉体をウエハ表面に散布し粉体を介してウエハ同士を密着させ円柱形状として長時間拡散を行う不純物拡散方法において、散布する粉体がシリコン粉で、その表面に窒化膜を形成したことを特徴とするウエハの不純物拡散方法を採用する。

請求項（抜粋）：

半導体シリコン基板の不純物拡散方法であって、不純物をデポジション拡散によって半導体シリコン基板の表面に高濃度に拡散させた後か、または不純物を半導体シリコン基板の表面に塗布した後に、粉体を半導体シリコン基板表面に散布し粉体を介して半導体シリコン基板同士を密着させ円柱形状として長時間拡散を行う不純物拡散方法において、前記粉体がシリコン粉で、その表面に窒化膜を形成したことを特徴とする半導体シリコン基板の不純物拡散方法。