特許
J-GLOBAL ID：200903015857210703
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-310431
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144266
出願日： 1991年11月26日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 半導体記憶装置において、ワードドライバの大きさ(駆動能力)を変えることなく、ワード線の設置間隔の縮小化を可能とし、もって、メモリセルの縮小化に伴うメモリマット全体の高集積化を可能とする。【構成】 半導体記憶装置(SRAM)100は、1つのメモリマット110内に多数のワード線101,...が平行に敷設され、メモリマットの外側に複数のサブワード線101,...に対して1つの割合でサブワードドライバ103aが設けられている。このサブワードドライバは、1つのメモリマット110の左右両側部に、ワード線と直交する方向に複数の列111,112をなして配置される。
請求項（抜粋）：
1つのメモリマット内に多数のワード線が平行に敷設され、メモリマットの外側に1又は2以上のワード線に対して1つ宛ワード線駆動手段が設けられると共に、該ワード線駆動手段がワード線と直交する方向に列をなして配置された半導体記憶装置において、前記ワード線駆動手段の列が1つのメモリマットに対して複数設けられてなることを特徴とする半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 11/34 345
, G11C 11/34 301 E
