特許
J-GLOBAL ID：200903015857434555
不揮発性半導体記憶装置の書き込み電圧生成回路
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-333280
公開番号（公開出願番号）：特開平6-180994
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】本発明はセルトランジスタの破壊を未然に防止しながら、書き込み速度を向上させ得る不揮発性半導体記憶装置の書き込み電圧生成回路を提供することを目的とする。【構成】書き込み用高電圧電源VPOの立ち上がりを鈍らせて書き込み電圧VPPとして出力する時定数回路5の入出力端子間にスイッチ回路6が接続され、スイッチ回路6には書き込み用高電圧電源VPOが所定レベルを越えるまでは該スイッチ回路6を閉路させる制御回路7が接続される。
請求項（抜粋）：
書き込み用高電圧電源(VPO)の立ち上がりを鈍らせて書き込み電圧(VPP)として出力する時定数回路(5)の入出力端子間にスイッチ回路(6)を接続し、前記スイッチ回路(6)には前記書き込み用高電圧電源(VPO)が所定レベルを越えるまでは該スイッチ回路(6)を閉路させる制御回路(7)を接続したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書き込み電圧生成回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 309 A
, H01L 27/10 434
