半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野口繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-197094
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021615
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】コンタクトホールやスルーホールでのメタルカバレッジを向上させる。【構成】基板2上に層間絶縁膜4が形成され、層間絶縁膜4にはコンタクトホール6が形成され、コンタクトホール6の側面には絶縁物の側壁8が形成されている。側壁8の内側面は上方に向かって開くように傾斜している。層間絶縁膜4上にはメタル配線10が形成され、コンタクトホール6を経て基板2と接続されている。【効果】側壁8によりメタル配線のカバレッジが向上する。また、コンタクトホールやスルーホールを写真製版の解像力よりも小さく形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の拡散領域、ゲート電極又は下層メタル配線などの下地に接続されたメタル配線を有し、このメタル配線と前記下地とを結ぶコンタクトホール又はスルーホールの側面には内側面が上方に向かって開くように傾斜した絶縁物の側壁が設けられている半導体装置。

前のページに戻る