特許

J-GLOBAL ID：200903015873409625

シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者： 山野 晃一 ,  長谷川 宏一 ,  保科 祐章
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  直江津電子工業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-152841
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353176
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル層の周辺部まで研磨されたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に周辺部の厚さが中心部よりも薄いシリコンエピタキシャル層を形成し、軟質ゴム状弾性体によるシート状発泡体32と研磨布34との間に硬質薄板からなる可撓性板体33を接着積層した研磨部材30を用いて、前記シリコンエピタキシャル層の表面を研磨する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板上に、周辺部の厚さが中心部よりも薄いシリコンエピタキシャル層を形成し、シート状発泡体と研磨布との間に硬質薄板からなる可撓性板体を接着積層した研磨部材を用いて、前記シリコンエピタキシャル層の表面を研磨することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 621 B ,  B24B 37/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (12件)：

3C058AA09 ,  3C058DA17 ,  5F045AB02 ,  5F045AB32 ,  5F045AF03 ,  5F045AF12 ,  5F045BB06 ,  5F045EE20 ,  5F045EM02 ,  5F045HA04 ,  5F045HA06 ,  5F045HA11