特許
J-GLOBAL ID：200903015875122781
微細パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-005020
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211616
出願日： 1994年01月21日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【構成】 高反射率な凹凸を有するシリコン基板11上に少なくとも2種類以上の屈折率を有する反射防止薄膜14,15をプラズマCVDで堆積し、反射薄膜14,15上にレジスト16を塗布し、レジスト16を露光現像することにより微細パターンを形成する。【効果】 シリコン基板上に堆積された反射防止薄膜の膜厚変化が多少生じても十分な反射防止効果を得ることが出来る。
請求項（抜粋）：
高反射率な凹凸を有する半導体基板上に少なくとも2種類以上の多層の反射防止薄膜をプラズマCVDで堆積する工程と、前記反射薄膜上にレジストを塗布する工程と、前記レジストを露光現像後、前記多層反射膜をドライエッチングにより除去する工程とを備えた微細パターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
