特許

J-GLOBAL ID：200903015877120611

定電圧ダイオード

発明者： 新井 高雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-287740
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148700
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】低雑音型定電圧ダイオードの低雑音機能を損うことなくサージ耐量を向上させる。【構成】N型シリコン基板1の上面に設けたガードリング2の外周よりも内側に形成したP+ 型拡散層3の底面でガードリング2に周囲を外囲まれてN型半導体基板1と接合し、所要の降伏電圧を得る主接合面7を複数島状に分散させて発熱源面積を拡大し、サージ耐量を向上させると同時に、主接合面7のトータル面積を小さく抑えて低雑音化を維持する。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板の上面に形成した逆導電型低不純物濃度拡散層からなるガードリングと、前記ガードリングの外周よりも内側に前記ガードリングの接合深さよりも浅く形成し且つ前記ガードリングに周囲を取囲まれて前記半導体基板と接合し所要の降伏電圧を得る主接合面を前記ガードリングの底面に複数分散させて配列した逆導電型高不純物拡散層とを有することを特徴とする定電圧ダイオード。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-035578
  
• 特公昭55-013146
  
• 特開昭60-035578