特許
J-GLOBAL ID：200903015888331274
半導体薄膜製造装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-029827
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240378
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【構成】 真空容器1と;前記真空容器内に設けられた基板加熱用ヒーター2と;前記基板加熱用ヒーターに対向して配置され少なくとも一部に水素終端化されたシリコン表面を露出した基板3と;前記基板の表面温度を測定する放射温度計5と;前記水素終端化シリコン表面から離脱する水素分子の温度分布曲線を取得する水素分子分圧測定機能部7と;この水素分子分圧測定機能部により得られた温度分布曲線によって前記放射温度計の測定誤差に補正を施す補正機能部を有するコントローラ8とを具備したことを特徴とする半導体薄膜製造装置。【効果】 本発明が提供する半導体薄膜製造装置により、パターンの違いや放射光の干渉による放射温度計の測定誤差の補正が可能になり、再現性良く半導体薄膜を製造することができる。
請求項（抜粋）：
真空容器と;前記真空容器内に設けられた基板加熱用ヒーターと;前記基板加熱用ヒーターに対向して配置され少なくとも一部に水素終端化されたシリコン表面を露出した基板と;前記基板の表面温度を測定する放射温度計と;前記水素終端化シリコン表面から離脱する水素分子の温度分布曲線を取得する水素分子分圧測定機能部と;この水素分子分圧測定機能部により得られた温度分布曲線によって前記放射温度計の測定誤差に補正を施す補正機能部を有するコントローラとを具備したことを特徴とする半導体薄膜製造装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
