特許
J-GLOBAL ID：200903015893221320
半導体レーザモジユール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186687
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037062
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザモジュールの変調帯域を大幅に改善する。【構成】 半導体レーザ1と光ファイバ6と前記半導体レーザから出射された光を前記光ファイバに結合する結合手段3を備えている。気密パッケージ内に少なくとも前記半導体レーザと、半導体レーザ駆動用のバイアス回路を設けた誘電体基板を有している。そして、前記バイアス回路内のインダクタを固定する部分に対応して誘電体基板の下に空洞部が設けられる。これによって、変調特性が改善できる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザと、光ファイバと、前記半導体レーザから出射された光を前記光ファイバに結合する結合手段を有し、気密パッケージ内に少なくとも前記半導体レーザと、該半導体レーザ駆動用のバイアス回路を設けた誘電体基板を有する半導体レーザモジュールにおいて、前記誘電体基板の下に空洞部を設けたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
引用特許：
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