特許

J-GLOBAL ID：200903015894953481

光学装置

発明者： 丸谷 幸利 ,  佐原 健志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-257825
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102647
出願日： 1995年10月04日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：

【要約】【課題】 発光部と受光部とをそれぞれ別途独立して設計するとともに、凹凸面において反射光が広範囲に散乱・回折等を起こすことを防ぎ、製造が容易で不良品の発生率の低い信頼性の高い光学装置を提供する。【解決手段】 (100)結晶面から〔01-1〕結晶軸方向に9.7°±2°傾いた結晶面を主面とする共通の半導体基板上に、半導体多層膜からなり、この半導体多層膜の膜面と直交して形成された相対向する両側面を水平共振器端面とする水平共振器型構成の半導体レーザと、水平共振器の少なくとも一方の端面に対向して〔011〕結晶軸方向と39°±2°の角度に設定された端面を有する選択的エピタキシャル成長マスクと、選択的エピタキシャル成長マスクの端面とこの端面と対向する端面との間に選択的にエピタキシャル成長によって形成された{011}結晶面による反射鏡とを有してなる光学装置を構成する。

請求項（抜粋）：

(100)結晶面から〔01-1〕結晶軸方向に9.7°±2°傾いた結晶面を主面とする共通の半導体基板上に、半導体多層膜からなり、該半導体多層膜の膜面と直交して形成された相対向する両側面を水平共振器端面とする水平共振器型構成の半導体レーザと、上記水平共振器の少なくとも一方の端面に対向して〔011〕結晶軸方向と39°±2°の角度に設定された端面を有する選択的エピタキシャル成長マスクと、該選択的エピタキシャル成長マスクの上記端面と該端面と対向する端面との間に選択的にエピタキシャル成長によって形成された{011}結晶面による反射鏡とを有してなることを特徴とする光学装置。