特許
J-GLOBAL ID：200903015895826181
磁気メモリセルと磁気メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087389
公開番号（公開出願番号）：特開2001-273759
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 メモリ層となる強磁性層に閉磁路構造を導入した磁気メモリセルと該磁気メモリセルを使用してセル密度が低下しない磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】 磁気メモリセル11は、反強磁性層21と、この反強磁性層21上に設けられ、面内磁化を示し、反強磁性層21と交換結合する強磁性層22と、この強磁性層22上に設けられた絶縁層23と、この絶縁層23上に設けられ、面内磁化を示す強磁性層24と、この強磁性層24上に設けられ、強磁性層24と共に閉磁路を形成する閉磁路層25とを備えており、このような磁気メモリセル11を格子状や千鳥状に配置して磁気メモリ装置を実現する。
請求項（抜粋）：
磁化の向きが面内方向に実質的に固定された第1強磁性層と、上記の第1強磁性層上に設けられた絶縁層と、上記絶縁層上に設けられ、面内磁化を示す第2強磁性層と、上記の第2強磁性層上に設けられ、該第2強磁性層と共に閉磁路を形成する閉磁路層とを備えた磁気メモリセル。
IPC (3件)：
G11C 11/15
, G11C 11/14
, H01L 43/08
G11C 11/15
, G11C 11/14 A
, H01L 43/08 Z
