特許

J-GLOBAL ID：200903015899336669

電界効果トランジスタ

発明者： 中村 孝
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-036424
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235370
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【構成】面方位(100)のP型シリコン基板10と、面方位(111)に分極特性を有するIV-VI族化合物強誘電体からなる強誘電体ゲート膜14との間に、シリコンとの格子定数のミスマッチが大きく、かつ強誘電体との格子定数のミスマッチが小さい、面方位(111)に配向特性を有するIIa族フッ化物からなるバッファ膜13を介在させる。【効果】面方位(100)のシリコン基板上に、強誘電体の分極方位と同じ(111)方向に配向した強誘電体ゲート膜を成膜できる。

請求項（抜粋）：

面方位(100)のシリコン基板と、シリコン基板の表層部に所定の間隔をあけて形成されたソース-ドレインとなる不純物拡散層と、シリコン基板上で不純物拡散層間に橋架するよう積層されたバッファ膜と、バッファ膜上に積層された強誘電体ゲート膜と、強誘電体ゲート膜の上側に配されたゲート電極とを備え、上記強誘電体ゲート膜は、面方位(111)に分極特性を有するIV-VI族化合物強誘電体からなり、上記バッファ膜は、シリコンとの格子定数のミスマッチが大きく、かつ強誘電体との格子定数のミスマッチが小さい、面方位(111)に配向特性を有するIIa族フッ化物からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 21/30 361 Y ,  H01L 29/80 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭49-079434
  
• 特開平2-164466
  
• 特開平3-227052
  
• 特開昭56-100464