特許

J-GLOBAL ID：200903015900186218

半導体装置

発明者： 坂本 和久
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-267677
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094051
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】破壊耐量の向上を図ることができる抵抗入りトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁膜15上には、たとえばポリシリコンからなる表面抵抗23が配設されている。表面抵抗23の一端は、コンタクトホール18上に隆起したベース電極20に接続されており、他端は、絶縁膜15上に隆起した状態に形成されたベースパッド24に接続されている。ベースパッド24は、絶縁膜15に形成されたコンタクトホール25を介してコレクタ領域11に接続されている。そして、コレクタ領域11においてベースパッド24の接合部位には、不純物濃度が高いP型不純物領域が形成されている。これにより、P型不純物領域とN型のコレクタ領域11との間でPN接合が形成され、ベースパッド24とコレクタ領域11との間に寄生ツェナーダイオードが構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された第1の導電型のベース領域と、このベース領域内に形成された第2の導電型のエミッタ領域と、ベース領域に接合して形成された第2の導電型のコレクタ領域と、コレクタ領域内にベース領域とは分離して形成された第1の導電型の不純物領域と、ベース領域に接続されたベース電極と、このベース電極に一端部が接続された表面抵抗と、この表面抵抗の他端部に接続され、かつ、上記不純物領域に接続されたベースパッドとを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 29/72

Fターム (20件)：

5F003AP06 ,  5F003BB02 ,  5F003BB07 ,  5F003BB08 ,  5F003BC02 ,  5F003BC08 ,  5F003BH16 ,  5F003BJ12 ,  5F003BJ20 ,  5F003BJ90 ,  5F003BM00 ,  5F003BM01 ,  5F038AR06 ,  5F038BE07 ,  5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH06 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-211757
  
• 特開昭57-183065
  
• 特開昭63-211757
  
• 特開昭57-183065