特許

J-GLOBAL ID：200903015906351717

半導体装置

発明者： 酒井 徹志 ,  家田 信明 ,  中島 蕃 ,  真野 恒夫 ,  赤沢 幸雄 ,  井野 正行 ,  猪川 洋
出願人/特許権者： エヌティティエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-014884
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156523
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は、多層配線が設けられている側に対して反対側から受光素子に光、音等を入力することにより、光、音等の入力経路を考慮することなく多層配線を形成し得る半導体装置を提供することにある。【解決手段】本発明は、P型シリコン層21上に埋込みSiO2の絶縁層23を設け、この絶縁層23の上に単結晶シリコン層を設けて半導体素子を形成し、この半導体素子を多層配線により接続したSOI基板からなる半導体装置において、前記P型シリコン層21を部分的に除去してl個以上の穴30を設け、入力として光を用い、穴30より入力される光を入射させない部分には絶縁層23の下にP+領域22を設けたことを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

第1のシリコン層上に第1の絶縁膜を設け、この第1の絶縁膜の上に第2の単結晶シリコン層を設けて半導体素子を形成し、この半導体素子を多層配線により接続したSOI基板からなる半導体装置において、前記第1のシリコン層を部分的に除去して1個以上の穴を設け、入力として光を用い、穴より入力される光を入射させない部分には第1の絶縁膜の下にP+領域を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 31/10 E ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 27/14 K ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 626 C