特許

J-GLOBAL ID：200903015907049593

陽極酸化方法とそれを用いた薄膜トランジスタ

発明者： 坪井 伸行 ,  竹田 守 ,  田村 達彦 ,  江崎 弘 ,  井上 真弓
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-262181
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115090
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 陽極酸化を用いた薄膜トランジスタのゲ-ト電極上にゲ-ト絶縁膜を形成する前処理としてフォト工程後UVを照射、あるいはフォト工程においてレジストのポストベ-クを行わずに陽極酸化を行い、Alの溶断を抑え、厚膜化を可能にする。【構成】 ガラス基板上1にゲ-ト電極用金属を堆積し、ゲ-ト電極を形成する。次いで陽極酸化前に各処理を行い、陽極酸化しゲ-ト絶縁膜3を形成、SiNx膜4、アモルファスSi5、n+アモルファス層6、画素電極7、ソ-ス、ドレイン電極8、9を形成し、薄膜トランジスタとする。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にAlを主成分とした陽極酸化可能な金属薄膜でゲ-ト電極を形成した後、配線電極引出し部に分レジストパタ-ンを形成しマスクとし陽極酸化する方法において、フォトレジスト塗布、プリベ-ク、露光、現像、ポストベ-クというレジストパタ-ン形成プロセス後、表面をUV処理する事を特徴とする陽極酸化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 A