特許

J-GLOBAL ID：200903015908946050

半導体装置及びその製造方法

発明者： 伊藤 英雄
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372490
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189333
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 長期常温保存性に優れた成形材料を用いて射出成形機することにより、硬化性、曲げ強度、かつ充填性、外観に優れた半導体装置を提供すること。【解決手段】 エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、無機質充填材を必須成分とするエポキシ樹脂成形材料であって、エポキシ樹脂と無機質充填材を混合、加熱溶融、混練、破砕したA成分と、フェノール樹脂と硬化促進剤及び残余の無機質充填材を混合、加熱溶融、混練、破砕したB成分とを、加熱成形前に混合した成形材料を用いて、半導体素子をスクリューインライン方式の射出ユニットを有する射出成形機により封止してなることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、無機質充填材を必須成分とするエポキシ樹脂成形材料であって、エポキシ樹脂と無機質充填材を混合、加熱溶融、混練、破砕したA成分と、フェノール樹脂と硬化促進剤及び残余の無機質充填材を混合、加熱溶融、混練、破砕したB成分とを、加熱成形前に混合した成形材料を用いて、半導体素子をスクリューインライン方式の射出ユニットを有する射出成形機により封止してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/56 ,  B29C 45/14 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  B29K 61:04 ,  B29K 63:00 ,  B29K105:16 ,  B29K105:20 ,  B29L 31:34

FI (8件)：

H01L 21/56 T ,  B29C 45/14 ,  B29K 61:04 ,  B29K 63:00 ,  B29K105:16 ,  B29K105:20 ,  B29L 31:34 ,  H01L 23/30 R

Fターム (20件)：

4F206AA37 ,  4F206AA39 ,  4F206AB11 ,  4F206AB16 ,  4F206AD01 ,  4F206AH37 ,  4F206JA07 ,  4F206JB12 ,  4F206JB17 ,  4F206JD03 ,  4F206JF01 ,  4F206JF02 ,  4F206JF05 ,  4M109AA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB03 ,  5F061AA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB03