特許
J-GLOBAL ID：200903015909032612
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-352324
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045350
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【構成】 ソースないしはドレイン領域となる拡散層が第1、第2の拡散層からなる。第2の拡散層112 or 113は第1の拡散層108 or 109とチャネル形成領域との間に位置し、第1の拡散層108 or 109よりも浅く形成される。この第2の拡散層112 or 113のキャリアの深さ方向分布がピークにて5×1018cm-3以上であり、かつ0.04μm以下の深さで半導体基板のキャリア濃度と一致するプロファイルを有する。これにより、ソースおよびドレイン領域が、サリサイド工程の際にリーク電流とコンタクト抵抗制限とを満たすような拡散層(第1の拡散層)と、短チャネル効果を避けるような浅い拡散層(第2の拡散層)とを有するものとして形成される。【効果】 短チャネル効果を抑制し、同時に駆動力確保、電極部の低コンタクト抵抗ならびにリーク電流の抑制の全てを満足させることができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上における素子分離領域によって囲まれる領域上に形成されたゲート電極と、前記半導体基板内の前記ゲート電極直下の領域により構成されるチャネル形成領域と、前記半導体基板内であって該チャネル形成領域に隣接され、第1の拡散層と、該第1の拡散層と前記チャネル形成領域との間に位置する第2の拡散層とから構成され、該第2の拡散層が前記第1の拡散層よりも浅く形成されるとともに、該第2の拡散層のキャリアの深さ方向分布が、ピークにおいて5×1018cm-3以上であって、かつ0.04μm以下の深さにおいて上記半導体基板のキャリア濃度と一致するプロファイルを有する第2導電型不純物拡散領域からそれぞれ構成されたソース領域およびドレイン領域とを備えている半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
H01L 29/78 301 L
, H01L 29/78 301 P
