特許

J-GLOBAL ID：200903015910361140

半導体式高周波電源装置

発明者： 西鳥羽 稔
出願人/特許権者： 株式会社明電舎
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-061331
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250665
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 高周波で高装置容量を得るため、複数台の高周波インバータ出力を高周波トランスを介して直列接続するのでは、高周波トランスの介在により、大型化やコストアップを招く。【解決手段】 高周波インバータ11〜1Nの各V相出力端子を直流カット用コンデンサ22〜2Nを介してその下段の高周波インバータのU相出力端子に順次接続することで、各高周波インバータの出力を直列接続し、最上段のインバータと最下段のインバータの端子間に高電圧、高周波の単相出力を得て負荷となる直列共振回路4に供給する。

請求項（抜粋）：

互いに同期制御され、U相出力端子とV相出力端子との間に高周波の単相出力を得る複数台の高周波インバータを設け、前記各高周波インバータのV相出力端子を直流カット用コンデンサを介して下段の高周波インバータのU相出力端子に接続し、最上段の高周波インバータのU相出力端子と最下段の高周波インバータのV相出力端子の両端から直流カット用コンデンサを介して負荷に単相の高周波高電圧の電力を供給することを特徴とする半導体式高周波電源装置。

IPC (2件)：

H05B 6/04 321 ,  H02M 7/48

FI (2件)：

H05B 6/04 321 ,  H02M 7/48 Q

Fターム (13件)：

3K059AA01 ,  3K059AD03 ,  3K059AD35 ,  3K059CD53 ,  3K059CD72 ,  5H007BB04 ,  5H007BB11 ,  5H007CA02 ,  5H007CB05 ,  5H007CB09 ,  5H007CC04 ,  5H007CC23 ,  5H007CC32

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-242750   出願人：株式会社安川電機
• 特開平3-253264