特許

J-GLOBAL ID：200903015912318926

自己整合コンタクトの形成方法

発明者： 中西 賢真
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-164750
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283759
出願日： 1996年06月25日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 ゲート電極とプラグ配線間の絶縁耐圧を確保できる自己整合コンタクトの形成方法を提供する。【解決手段】 第1の発明方法は、LDDサイドウォールを備えた自己整合コンタクトを形成する方法であって、ゲート電極層上に第1のエッチング停止層と次いでSiO2 層とから成るオフセット絶縁層を成膜する工程と、ゲート電極を形成し、更に、基板全面に第2のエッチング停止層を成膜し、次いで、第2のエッチング停止層をエッチバックして、コンタクト形成領域のゲート酸化膜を露出させると共にLDDサイドウォールを形成するエッチバック工程と、層間絶縁膜を成膜し、エッチングして接続孔を形成する工程と備えている。第2の発明方法は、ゲート電極層上に第1のエッチング停止層と次いでSiO2 層とから成るオフセット絶縁層を成膜する工程に代えて、ゲート電極上にオフセット絶縁層を成膜する工程と、イオンを注入して、第1のエッチング停止層をオフセット絶縁層内に形成する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

LDDサイドウォールを備えた自己整合コンタクトを形成する方法において、ゲート電極層上に第1のエッチング停止層と次いでSiO2 層とから成るオフセット絶縁層を成膜する工程と、ゲート電極を形成し、更に、基板全面に第2のエッチング停止層を成膜し、次いで、第2のエッチング停止層をエッチバックして、コンタクト形成領域のゲート酸化膜を露出させると共にLDDサイドウォールを形成するエッチバック工程と、層間絶縁膜を成膜し、エッチングして接続孔を形成する工程とを有することを特徴とする自己整合コンタクトの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 D