半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-363013
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177060
出願日： 1997年12月12日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】高誘電率を有するキャパシタ絶縁膜に、水素を侵入させない構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】下部電極9、上部電極12及び誘電体膜13(酸化タンタル膜10)を備えたキャパシタは、周囲をシリコン窒化膜6とシリコン窒化膜14によって覆われている。シリコン窒化膜6,14によって、水素シンター工程における水素の誘電体膜13への侵入を防ぐことができるため、高誘電体膜あるいは強誘電体膜からなるキャパシタの誘電率の低下を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の拡散層と接続された第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成され、前記誘電体膜を介して前記第1の導電膜と対向する第2の導電膜とからなるキャパシタを備え、前記第1の導電膜と前記拡散層との接続部以外の前記キャパシタの周囲が水素の透過性の低い膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 651

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