特許
J-GLOBAL ID：200903015916320771
磁気記録媒体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山下 穣平
, 永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-347663
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159177
出願日： 2006年12月25日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：
【課題】アモルファス磁性膜からなる記録層を含む磁気記録媒体において、該アモルファス磁性膜に微細な安定磁区を形成する。【解決手段】基板と、該基板上に形成されたグラニュラー層と、該グラニュラー層上に形成されたアモルファス磁性膜からなる記録層と、を少なくとも有する磁気記録媒体であって、該グラニュラー層は、Fe、Co、Niのうち少なくとも1種類の元素とPt、Pdのうち少なくとも1種類の元素を主成分とする複数の柱状磁性体と、該柱状磁性体を取り囲むSiO2、Al2O3、MgOのうち少なくとも1種類の酸化物を主成分とする非磁性体マトリックス領域と、を含み、及び、該柱状磁性体の平均直径は、2nm以上6nm以下の範囲内であり、かつ前記柱状磁性体の平均周期は、4nm以上8nm以下の範囲であることを特徴とする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成されたグラニュラー層と、該グラニュラー層上に形成されたアモルファス磁性膜からなる記録層と、を少なくとも有する磁気記録媒体であって、
該グラニュラー層は、Fe、Co、Niのうち少なくとも1種類の元素とPt、Pdのうち少なくとも1種類の元素を主成分とする複数の柱状磁性体と、該柱状磁性体を取り囲むSiO2、Al2O3、MgOのうち少なくとも1種類の酸化物を主成分とする非磁性体マトリックス領域と、を含み、及び、該柱状磁性体の平均直径は、2nm以上6nm以下の範囲内であり、かつ前記柱状磁性体の平均周期は、4nm以上8nm以下の範囲であることを特徴とする磁気記録媒体。
IPC (3件)：
G11B 5/66
, G11B 5/738
, G11B 5/851
G11B5/66
, G11B5/738
, G11B5/851
5D006BB01
, 5D006CA05
, 5D006DA03
, 5D112AA03
, 5D112AA05
, 5D112AA17
, 5D112AA24
, 5D112BB01
, 5D112FA04
, 5D112GB01
, 5D112GB10
