特許

J-GLOBAL ID：200903015919324522

半導体装置用スティフナおよびその製造方法

発明者： 遠藤 正志 ,  後藤 照男 ,  今井 多美雄 ,  大高 達也
出願人/特許権者： 株式会社キツダ ,  日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-022964
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223615
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 低コストのもとに容易に製造することのできる半導体装置用スティフナとその製造方法を提供する。【解決手段】 貫通孔1を形成された金属板2を加圧ダイ3の上に載せ、貫通孔1の中に金属片4を配設する。金属片4は金属板2よりも厚さが薄く、貫通孔1よりも僅かに小さな外形寸法に作られている。次に、金属片4を加圧パンチ5で加圧し、これにより金属片4を矢印のように延伸させて貫通孔1の内壁6に当接させる。この当接の結果、金属板2と金属片4は相互に一体化され、凹部8が形成されて所定の半導体装置用スティフナ7となる。

請求項（抜粋）：

TABテープが接着される平面の第1の領域と、半導体素子が搭載される凹面の第2の領域を有した半導体装置用スティフナにおいて、前記第1の領域は、前記第2の領域に所定の面積の貫通孔を有した金属板によって構成され、前記第2の領域は、前記貫通孔の内壁とクリアランスを有して前記貫通孔に配設される原形を有し、圧延によって延伸された縁部を前記貫通孔の内壁に固定された金属片より構成されることを特徴とする半導体装置用スティフナ。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  B21D 39/03 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 23/12 F ,  B21D 39/03 Z ,  H01L 21/60 311 W

Fターム (5件)：

5F044AA07 ,  5F044GG10 ,  5F044MM00 ,  5F044MM03 ,  5F044MM13