特許
J-GLOBAL ID：200903015920166710
スパッタリング装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058345
公開番号（公開出願番号）：特開平6-025845
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1994年02月01日
要約：
【要約】【目的】ターゲットが磁性材料であっても利用効率が格段に向上するプレーナマグネトロン方式のスパッタリング装置を実現することにある。【構成】プレーナマグネトロンスパッタ装置のターゲット15の中心部と外周部に、磁性材料からなる部材16、17を磁極として設置し、かつカソード7の磁気回路を複数の電磁石群11により構成する。ターゲット15上の磁力線21は、中心部材17から外周部材16まで大きな弧を描き、ターゲットの広い面積にわたりプラズマを閉じ込める。プラズマに晒される部材17の少なくとも表面はターゲット材料と同一材料のカバー18で被覆し、成膜中への不純物の導入を防止する。【効果】ターゲットのエロージョンを大面積でかつエロージョンの進行を広い面積にわたり同程度にでき、磁性材料のターゲットでも急俊なエロージョンの進行がなくターゲットの利用効率の向上がはかれ製造コストの低減とが可能となる。
請求項（抜粋）：
真空容器内において薄膜を形成する試料基板を載置する基板ホルダと、基板ホルダに保持された基板に対向し所定のスパッタ物質からなるターゲットと、ターゲットを載置するカソードと、カソードに電力を印加する電源と、カソードに配設された少なくともセンターヨークとアウターヨークとを備えた磁界発生手段とを有して成るプレーナマグネトロン方式のスパッタリング装置であって、前記磁界発生手段が、センターヨークに対面するターゲットの中央部からアウターヨークに対面する外周部に至るまでの少なくともターゲット上を覆う弧状の磁力線を発生させる磁気回路を構成して成るスパッタリング装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
