特許
J-GLOBAL ID：200903015921623499

窒化物系半導体発光素子、および窒化物系半導体発光素子を作製する方法

発明者：
秋田 勝史

秋田 勝史 について

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京野 孝史

京野 孝史 について

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石橋 恵二

石橋 恵二 について

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笠井 仁

笠井 仁 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-100930
公開番号（公開出願番号）：特開2008-258503
出願日： 2007年04月06日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：
【課題】非極性窒化ガリウム系半導体を用いると共に大きな発光強度を提供できる構造の窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】活性層17は、波長440nm以上550nm以下の範囲の発光波長の光を発生するように設けられる。第1導電型窒化ガリウム系半導体領域13、活性層17および第2導電型窒化ガリウム系半導体領域15は、所定の軸Axの方向に配列されている。活性層17は、六方晶系InXGa1-XN(0.16≦X≦0.4、Xは歪み組成)からなる井戸層を含み、インジウム組成Xは歪み組成で表されている。六方晶系InXGa1-XNのm面が所定の軸Axの方向に向いている。井戸層の厚さは3nmより大きく20nm以下である。井戸層の厚みを3nm以上にすることによって、発光波長440nm以上の発光素子を作製することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型窒化ガリウム系半導体領域と、 第2導電型窒化ガリウム系半導体領域と、 前記第1導電型窒化ガリウム系半導体領域と前記第2導電型窒化ガリウム系半導体領域との間に設けられており、波長440nm以上550nm以下の範囲の波長の光を発生するように設けられた活性層と を備え、 前記活性層は、六方晶系InXGa1-XN(0.16≦X≦0.4、インジウム組成Xは歪み組成)からなる井戸層を含み、 前記井戸層の厚さDは3nmより大きく、 前記井戸層の厚さDは20nm以下であり、 前記インジウム組成Xの厚さDは、X≧-0.16×D+0.88の関係にあり、 前記第1導電型窒化ガリウム系半導体領域、前記活性層および前記第2導電型窒化ガリウム系半導体領域は、所定の軸の方向に配列されており、 前記六方晶系InXGa1-XNのm面は、前記所定の軸の方向に向いている、ことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205
Fターム (22件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA55
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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