特許

J-GLOBAL ID：200903015923000731

ハイブリッドモジュ-ル

発明者： 村井田 道夫 ,  井口 巧一 ,  鈴木 一高 ,  成田 直人 ,  重谷 寿士 ,  藤井 知徳 ,  稲葉 一夫
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 吉田 精孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-262727
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200977
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 放熱性及び信頼性が高く高密度実装が可能なハイブリッドモジュールを提供する。【解決手段】 回路基板11を複数の絶縁体層14及び電極層15からなる多層プリント基板により形成し、回路基板11の主面16に電極層15の放熱電極15aが露出する凹部17を形成し、凹部17の底面に露出する放熱電極15aに回路部品13を接着するとともに、回路基板11の側面に放熱電極15aと接合する外部電極23を形成してハイブリッドモジュール10を構成した。これにより、回路部品13に発生する熱は、回路基板11の絶縁体層14を介することなく放熱電極15a及び外部電極23から放熱されるので放熱性に優れたものとなる。また、回路部品13に親回路基板からの応力が加わらないので信頼性が向上したものとなる。さらに、回路部品13を回路基板11に形成した凹部17に実装したので、実装密度が向上したものとなる。

請求項（抜粋）：

凹部が形成された回路基板と、該回路基板の凹部内に実装された発熱性を有する回路部品とを備え、回路基板の前記凹部が形成された側を親回路基板に対向させて実装されるハイブリッドモジュールにおいて、前記回路基板は、導体層を有する多層基板からなるとともに、前記導体層が前記凹部の底面に露出し、前記回路部品は、凹部の底面に露出する前記導体層に接着されていることを特徴とするハイブリッドモジュール。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H05K 3/34 501

FI (3件)：

H05K 3/46 U ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/34 501 D