特許

J-GLOBAL ID：200903015923805160

ドライエッチング方法

発明者： 玉置 徳彦 ,  今井 伸一 ,  木村 忠司 ,  稲本 吉将
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-257991
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198538
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、異方性エッチング形状(低CDロス)とパーティクル発生の抑制とを両立させることができるシリコン窒化膜に対するドライエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 p型シリコン基板1上に形成されたシリコン酸化膜2の表面に形成されているシリコン窒化膜3に対して選択的にドライエッチングを行なうに際して、反応室内にHBrとClF3 との混合ガスを供給する。ドライエッチング時にシリコン窒化膜3と混合ガス中のHBrとの反応により発生するSiBr4 はp型シリコン基板1のエッチング側壁に堆積する一方、余剰のSiBr4 はp型シリコン基板1と反応室の壁面との間で混合ガス中のClF3 と反応してフッ化物が生成される。該フッ化物は、揮発性が高いので、反応室の外部へ容易に排出される。

請求項（抜粋）：

反応室内に載置された半導体基板の表面に形成されているシリコン窒化膜に対して選択的にドライエッチングを行なうドライエッチング方法であって、上記反応室内にHBrとClF3 との混合ガスを供給して上記シリコン窒化膜に対して選択的にドライエッチングを行ない、該ドライエッチング時に上記シリコン窒化膜と上記混合ガス中のHBrとの反応により発生するSiBr4 を上記半導体基板のエッチング側壁に堆積せしめると共に、余剰のSiBr4 を上記半導体基板と上記反応室の壁面との間で上記混合ガス中のClF3 と反応させてフッ化物を生成せしめ、該フッ化物を上記反応室の外部へ排出することを特徴とするドライエッチング方法。