特許

J-GLOBAL ID：200903015935181960

薄膜成長表面その場評価法及び薄膜形成装置

発明者： 宮内 美智博 ,  柴田 典義
出願人/特許権者： 財団法人ファインセラミックスセンター ,  松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 英彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-089160
公開番号（公開出願番号）：特開平6-280014
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：

【要約】【目的】薄膜成長中の薄膜表面をRHEEDによる結晶構造のみならず、不純物や結晶欠陥に関する情報を得ることができる薄膜成長表面のその場評価法及び薄膜形成装置を提供すること。【構成】真空槽内の基板上で成長中の薄膜に反射高速電子線回折測定系の電子銃により電子線を照射し、電子線を照射した前記薄膜から発するルミネッセンス光を集光し、真空槽外へ導光し、導光されたルミネッセンス光を分光計測すること。

請求項（抜粋）：

真空中の基板上に原料を蒸着して薄膜を形成するに際して薄膜の成長表面のその場評価をするための方法であって、真空槽内の基板上で成長中の薄膜に反射高速電子線回折測定系の電子銃により電子線を照射し、電子線を照射した前記薄膜から発するルミネッセンス光を集光し、真空槽外へ導光し、導光されたルミネッセンス光を分光計測することを特徴とする薄膜成長表面その場評価法。