特許
J-GLOBAL ID：200903015936769031
単結晶の育成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-204907
公開番号（公開出願番号）：特開平9-052794
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】 加熱炉内のヒーターやホットゾーンの変更、引上げ装置の改造等を行わずに、LEC法により従来よりも長尺の化合物半導体単結晶を得る。【解決手段】 結晶の育成開始から所望の育成長に達するまで一定の結晶引上げ速度で結晶を育成した後、段階的に或は連続的に結晶引上げ速度を遅くして結晶を育成するようにした。
請求項（抜粋）：
原料と封止剤とを入れたるつぼを炉内に設置し、ヒーターにより加熱して溶融させ、原料融液表面に種結晶を接触させて徐々に引き上げることにより単結晶を育成するにあたり、結晶直胴部の育成開始から育成終了までを少なくとも2段階に分けるとともにその分けた複数の段階を連続して行うようにし、育成開始直後の最初の段階では結晶直胴部の育成中に所望の育成長に達するまで一定の結晶引上げ速度で結晶を育成し、続く後段の段階ではその直前の段階における結晶引上げ速度よりも遅い引上げ速度でもって結晶を育成するようにしたことを特徴とする単結晶の育成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 27/02
, H01L 21/208 P
