特許

J-GLOBAL ID：200903015938950230

半導体デバイス製造におけるパターン転写法

発明者： 松村 英樹 ,  寺野 稔 ,  新田 晃平 ,  木田 健一郎
出願人/特許権者： 株式会社石川製作所 ,  松村 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-252337
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158192
出願日： 2001年08月23日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 凹凸パターンが形成された型をレジスト膜にプレスして行うパターン転写において、プレス後のレジスト膜のエッチングを安価で簡便なウェットエッチングによって実現する。【解決手段】 凹凸型をプレスした後のレジスト膜を紫外線照射によって選択的に変性させた後、ウェットエッチングを行う。あるいは、プレス時の型の加熱温度をレジスト膜の熱劣化温度に設定して型をプレスすることにより、レジスト膜を選択的に変性させた後、ウエットエッチングを行なう。

請求項（抜粋）：

基板上への回路パターンの転写に際し、基板上に形成された高分子材料のレジスト膜を凹凸を有する凹凸型によってプレスして行う半導体デバイス製造におけるパターン転写において、凹凸型のプレスによって形成されたレジスト膜の凸パターン部分と凹パターン部分を紫外線のマスクとして使用し、レジスト膜に紫外線照射させて、レジスト膜に変性部と非変性部を選択的に形成すること特徴とする半導体デバイス製造におけるパターン転写方法。

IPC (5件)：

H01L 21/30 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027 ,  H01J 9/02

FI (7件)：

H01L 21/30 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/38 501 ,  H01J 9/02 A ,  H01J 9/02 F ,  H01J 9/02 R ,  H01L 21/30 561

Fターム (24件)：

2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA13 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA15 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096CA16 ,  2H096DA10 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA30 ,  2H096GA02 ,  2H096JA02 ,  2H096KA02 ,  5C027AA01 ,  5C027BB01 ,  5F046AA28 ,  5F046BA10