特許

J-GLOBAL ID：200903015940742288

単一電子トンネル素子

発明者： 久保田 徹 ,  横山 士吉 ,  中浜 龍夫 ,  益子 信郎
出願人/特許権者： 独立行政法人通信総合研究所
代理人 (1件)： 芳村 武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-070114
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267552
出願日： 2000年03月14日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】単一電子トンネル素子として安定した動作が保証され、また、光照射後も暗所に戻すことで、元の単一電子トンネル伝導特性が再現される単一電子トンネル素子を提供する。【解決手段】基板上に下部電極、下部絶縁性薄膜層、中間電極層、上部絶縁性薄膜層、上部電極を順次積層した単一電子トンネル素子において、中間電極層をデンドリマー分子を挿入した絶縁性薄膜により構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極、下部絶縁性薄膜層、中間電極層、上部絶縁性薄膜層、上部電極を順次積層した単一電子トンネル素子において、中間電極層をデンドリマー分子を挿入した絶縁性薄膜により構成したことを特徴とする単一電子トンネル素子。

IPC (2件)：

H01L 29/66 ,  H01L 51/00

FI (2件)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/28