特許

J-GLOBAL ID：200903015946903216

受光素子

発明者： 玉井 誠一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-087510
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277063
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】 固体撮像素子に対する更なる高画質化の要求に応えることを可能にする受光素子を提供する。【解決手段】 p型およびn型の領域を有する第1のシリコン基板120と、p型およびn型の領域を有する第2のシリコン基板132が第1のSOI絶縁層131上に形成されてなる第1のSOI基板130と、p型およびn型の領域を有する第3のシリコン基板142が第2のSOI絶縁層141上に形成されてなる第2のSOI基板140とを備え、第1のシリコン基板120、第2のシリコン基板132および第3のシリコン基板142におけるpn接合は、光を光電変換するフォトダイオードを形成し、光が入射する第2のSOI基板140の表面からのpn接合の深さは、光電変換する光のシリコン内における吸収長さにより決定される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

入射光を光電変換する受光素子であって、 pn接合部を有する第1のシリコン基板と、 pn接合部を有する第2のシリコン基板が第1のSOI絶縁層上に形成されてなる第1のSOI基板と、 pn接合部を有する第3のシリコン基板が第2のSOI絶縁層上に形成されてなる第2のSOI基板とを備え、 前記第1のシリコン基板、前記第1のSOI基板および前記第2のSOI基板は、順次積層され、 前記第1のシリコン基板、前記第2のシリコン基板および前記第3のシリコン基板におけるpn接合は、光を光電変換するフォトダイオードを形成し、 光が入射する前記第2のSOI基板の表面からの各前記pn接合の深さは、光電変換する光のシリコン内における吸収長さにより決定される ことを特徴とする受光素子。

IPC (3件)：

H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H04N9/07

FI (3件)：

H01L27/14 A ,  H04N9/07 D ,  H01L31/10 D

Fターム (35件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA22 ,  4M118CA27 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20 ,  4M118FA06 ,  5C065AA01 ,  5C065AA03 ,  5C065BB19 ,  5C065BB30 ,  5C065CC01 ,  5C065DD01 ,  5C065DD17 ,  5C065EE03 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049NA19 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049QA07 ,  5F049QA20 ,  5F049RA06 ,  5F049SS02 ,  5F049SS06 ,  5F049SZ06 ,  5F049SZ11 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA03 ,  5F049WA09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• カラー固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-356765   出願人：オリンパス光学工業株式会社