特許

J-GLOBAL ID：200903015947835702

半導体基体及びその製造方法

発明者： 坂本 勝
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-310189
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161948
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 半導体基体外周部の膜はがれを防止して、信頼性の高い半導体基体を提供し、これにより歩留まりの高い半導体装置を作製可能とする。【構成】 支持基体101上に、絶縁膜102、半導体層103を順に積層して有する半導体基体において、少なくとも前記絶縁膜102外周部が絶縁膜又は半導体層からなる保護膜104で覆われていることを特徴とする半導体基体。また、前記保護膜104は、半導体膜としての多結晶シリコンであることを特徴とする半導体基体。保護膜104で絶縁膜102の外周部が保護されるため、後工程でエッチング処理されても、絶縁膜102の外周部がエッチングされるおそれがなく、それによる半導体層103のリフトオフ及び剥離も防止できる。

請求項（抜粋）：

支持基体上に、絶縁膜、半導体層を順に積層して有する半導体基体において、少なくとも前記絶縁膜外周部を半導体又は絶縁物の保護膜で覆ったことを特徴とする半導体基体。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20