特許
J-GLOBAL ID：200903015950973377
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038158
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249796
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 発光層からの不純物の拡散を増大させることなく発光センターを増加させることができ、高輝度短波長を実現し得るLEDを提供する。【構成】 サファイア基板11上に、GaNバッファ層12、n-GaN閉じ込め層13、GaN発光層14、p-GaN閉じ込め層15を成長形成したLEDにおいて、発光層14に不純物としてSeとMgをそれぞれ1×1020cm-3ドープしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
II族元素とVI族元素が同時に添加されたGa<SB>x</SB> Al<SB>y</SB> In<SB>1-x-y</SB> N層(0<x≦1,0≦y<1)を発光層としたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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