特許
J-GLOBAL ID：200903015952882212
配線形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232683
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086282
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 ドライエッチングが行い難い銅をはじめとする各種配線形成材料を用いる場合でも微細な所望の配線を形成出来る配線形成方法を提供する。【構成】 配線を形成したい下地31に形成したい配線のパターンに応じた配置で溝37を形成する。溝37形成済みの下地31に銅の凝集を促進するための凝集促進膜39としてMo膜、W膜若しくはTiN膜を形成する。凝集促進膜39形成済みの下地31に銅の薄膜41を形成する。この試料を真空中450°Cの温度で30分間熱処理して銅を溝37に凝集させて溝を銅で埋め込み配線41x を得る。なお、溝37以外の下地部分上に銅の薄膜及び凝集促進膜が残存した場合は研磨等により除去して配線41x を得る。
請求項（抜粋）：
配線を形成したい下地に、形成したい配線のパターンに応じた配置で溝を形成する工程と、該溝形成済みの下地に後の配線形成材料の凝集を促進するための凝集促進膜を形成する工程と、該凝集促進膜形成済みの下地に配線形成材料の薄膜を形成する工程と、該配線形成材料の薄膜形成済みの下地に対し該薄膜を前記溝内に凝集させるための熱処理をする工程とを含むことを特徴とする配線形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/88 K
, H01L 21/88 B
