特許

J-GLOBAL ID：200903015961355438

半導体製造業の排ガス処理方法及びその装置

発明者： 淡路 敏夫
出願人/特許権者： 淡路 敏夫
代理人 (1件)： 澤 喜代治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254585
公開番号（公開出願番号）：特開2000-061255
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 2000年02月29日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体製造業の排ガス処理方法及びその装置に係り、触媒ないし吸着材(処理材)の破過点ないしその近傍に達した後、処理材を交換する前に、この処理容器内で生成した生成物質を当該処理容器から排斥することにより、その交換作業の際の爆発等の事故を防止し、作業上の安全性を著しく向上させた半導体製造業の排ガス処理方法及びこの方法を実施するための装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、半導体製造業の排ガスが導入される処理容器の内部に充填した処理材を交換するにあたり、処理容器内で生成した生成物質を生成物質パージ装置から供給される圧縮空気などでパージし、この後に処理材を交換することにより、処理材の交換を円滑に、且つ安全に行えるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体製造業で使用され又は生成する有害物質や危険物質を含む排ガスを処理容器内に導入し、この処理容器内の触媒ないし吸着材により排ガス中の有害物質を分解ないし吸着させてから処理ガスを大気中に放出する半導体製造業の排ガス処理方法において、有害物質や危険物質の処理によって触媒ないし吸着材が破過点ないしその近傍に達した後、この処理容器を交換するにあたり、触媒ないし吸着材が破過点ないしその近傍に達した後から処理容器の交換寸前まで連続的且つ自動的に、この処理容器内で生成した生成物質を当該処理容器から排斥することを特徴とする、半導体製造業の排ガス処理方法。

IPC (3件)：

B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/81 ZAB ,  B01D 53/86

FI (2件)：

B01D 53/34 ZAB A ,  B01D 53/36 A

Fターム (47件)：

4D002AA01 ,  4D002AA03 ,  4D002AA12 ,  4D002AA13 ,  4D002AA14 ,  4D002AA17 ,  4D002AA18 ,  4D002AA19 ,  4D002AA22 ,  4D002AA23 ,  4D002AA24 ,  4D002AA26 ,  4D002AA27 ,  4D002AA28 ,  4D002AA31 ,  4D002AA40 ,  4D002AC10 ,  4D002BA04 ,  4D002BA05 ,  4D002BA06 ,  4D002BA14 ,  4D002BA20 ,  4D002DA02 ,  4D002DA03 ,  4D002DA05 ,  4D002DA06 ,  4D002DA11 ,  4D002DA21 ,  4D002DA23 ,  4D002DA25 ,  4D002DA41 ,  4D002DA45 ,  4D002DA46 ,  4D002DA47 ,  4D002EA02 ,  4D002EA03 ,  4D002EA04 ,  4D002EA05 ,  4D002EA08 ,  4D002EA13 ,  4D002EA14 ,  4D002FA10 ,  4D002HA02 ,  4D002HA10 ,  4D048AA21 ,  4D048AB03 ,  4D048CC70

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-054921